WEBVTT

00:00:00.880 --> 00:00:05.360
这是那款冠军Topcon电池的损耗分析。

00:00:06.960 --> 00:00:11.016
在右侧，你可以看到一个相当复杂的...

00:00:11.016 --> 00:00:13.720
不同损耗的图表。

00:00:13.720 --> 00:00:15.655
我不指望你能全部看懂，

00:00:15.655 --> 00:00:18.926
但我在这里想指出的是，我们能够做到...

00:00:18.926 --> 00:00:22.397
相当详细地理解各种不同的损耗...

00:00:22.397 --> 00:00:23.598
在这个器件中是如何发生的。

00:00:24.400 --> 00:00:27.113
棕色的是光学损耗，

00:00:27.113 --> 00:00:30.294
蓝色的是复合损耗，

00:00:30.294 --> 00:00:34.598
绿色和粉色的是电阻性损耗。

00:00:36.200 --> 00:00:38.740
为了确定光学损耗，

00:00:38.740 --> 00:00:41.715
我们分析量子效率并应用光线...

00:00:41.715 --> 00:00:44.763
追踪模型，使用来自PV Lighthouse的SunSolve，

00:00:44.763 --> 00:00:47.158
这是一个非常好的工具。

00:00:47.480 --> 00:00:50.449
我们发现在这种情况下，我们有一个路径长度...

00:00:50.449 --> 00:00:54.466
增强因子32，这对于随机金字塔电池来说是...

00:00:54.466 --> 00:00:56.038
相当典型的。

00:00:56.360 --> 00:00:59.928
但对于那些昨天听了Eli Yablonovich演讲的人...

00:00:59.928 --> 00:01:02.476
来说，这比...

00:01:02.476 --> 00:01:05.449
朗伯限制的4n平方限制要低不少，

00:01:05.449 --> 00:01:07.318
那个限制大约是z等于50。

00:01:10.840 --> 00:01:13.344
所以对于复合和电阻性损耗，

00:01:13.344 --> 00:01:16.599
我们通过在Quokka中进行三维仿真来完成。

00:01:17.080 --> 00:01:20.518
我们测量并最佳估算了...

00:01:20.518 --> 00:01:23.134
J0接触电阻、线电阻，

00:01:23.134 --> 00:01:27.319
所有这些你需要知道的参数来构建Quokka模型。

00:01:28.440 --> 00:01:31.992
这个电池最终具有二分之一...

00:01:31.992 --> 00:01:34.439
飞安的面积平均J0，这是相当低的。

00:01:35.960 --> 00:01:40.122
我们在这个建模中实际发现的是，你不...

00:01:40.122 --> 00:01:45.199
必须对所有不同的J0值进行几何建模。

00:01:45.200 --> 00:01:48.208
你只需要取这个面积平均值，这将...

00:01:48.208 --> 00:01:50.079
非常准确地预测Voc。

00:01:50.400 --> 00:01:52.906
因为在这些器件中扩散长度如此之长...

00:01:52.906 --> 00:01:55.732
以至于所有不同的接触都与...

00:01:55.732 --> 00:01:56.638
彼此保持电接触。

00:01:57.040 --> 00:02:00.825
所以我们可以将这个面积平均J0视为...

00:02:00.825 --> 00:02:03.319
表面复合的一个非常好的代理。

00:02:03.320 --> 00:02:07.481
对于整个器件，我们发现仿真...

00:02:07.481 --> 00:02:09.759
与测量结果一致。

00:02:09.760 --> 00:02:11.260
好吧，这并不令人惊讶，

00:02:11.260 --> 00:02:12.760
我想，因为如果不一致，

00:02:12.760 --> 00:02:15.520
我会要求我们的博士后回去重新做一次。

00:02:16.960 --> 00:02:21.514
我想在这里指出的是...

00:02:21.514 --> 00:02:25.119
俄歇复合的重要性，你可以在这里看到。

00:02:25.120 --> 00:02:27.301
这是中等蓝色的部分，

00:02:27.301 --> 00:02:28.559
0.62毫瓦。

00:02:29.280 --> 00:02:31.120
当然，这是一种内在损耗。

00:02:31.600 --> 00:02:35.624
如果你想知道为什么总效率高达...

00:02:35.624 --> 00:02:38.396
30%左右，你必须减去那个...

00:02:38.396 --> 00:02:41.704
俄歇损耗才能回到29.5%左右，

00:02:41.704 --> 00:02:46.264
这是我们熟悉的...

00:02:46.264 --> 00:02:48.678
单结硅电池的效率极限。

00:02:52.840 --> 00:02:54.624
好的，让我们来看看...

00:02:54.624 --> 00:02:56.039
这里的一些主要损耗。

00:02:56.040 --> 00:02:58.140
就光学损耗而言，

00:02:58.140 --> 00:03:00.840
最大的单项损耗是红外逸出。

00:03:01.320 --> 00:03:03.868
这是因为我们的光陷阱没有达到...

00:03:03.868 --> 00:03:04.839
朗伯限制。

00:03:05.560 --> 00:03:08.840
我们在多晶硅层中也有一些吸收。

00:03:08.840 --> 00:03:10.960
这就是寄生吸收组分。

00:03:10.960 --> 00:03:13.615
虽然很小，但这是我们可以做的，

00:03:13.615 --> 00:03:16.759
是我们可以努力改进并希望提高的东西。

00:03:18.200 --> 00:03:21.960
前电极反射仍然是一个很大的损耗，

00:03:21.960 --> 00:03:23.840
那是0.44毫瓦。

00:03:23.840 --> 00:03:26.600
当然，我们可以使用更细的电极来帮助减少这种损耗。

00:03:27.800 --> 00:03:29.634
就复合而言，正如我所说，

00:03:29.634 --> 00:03:32.119
这个器件中大部分的复合是俄歇复合。

00:03:32.920 --> 00:03:35.222
表面复合仍然存在，

00:03:35.222 --> 00:03:37.919
但与其他的相比是相当小的。

00:03:37.920 --> 00:03:39.923
我们可以在前表面做得稍好一些，

00:03:39.923 --> 00:03:41.399
但这里没有太多收益。

00:03:42.600 --> 00:03:46.452
而电阻性损耗，我们确实有一些显著的...

00:03:46.452 --> 00:03:47.919
传输损耗。

00:03:47.920 --> 00:03:50.980
这就是这里的两个紫色部分，

00:03:50.980 --> 00:03:54.040
空穴传输和电子传输。

00:03:54.600 --> 00:03:57.739
这是由载流子必须...

00:03:57.739 --> 00:03:59.439
到达接触点而造成的电阻性损耗。

00:03:59.880 --> 00:04:03.292
当你想到在这些器件中接触点...

00:04:03.292 --> 00:04:07.319
被分隔超过电池厚度的五倍时，这并不令人惊讶。

00:04:07.320 --> 00:04:10.155
所以它们要传输很长的距离，而且它们没有得到...

00:04:10.155 --> 00:04:12.875
表面薄膜或表面扩散层的...

00:04:12.875 --> 00:04:15.479
太多帮助，因为它们掺杂浓度很低。

00:04:17.160 --> 00:04:19.720
所以我们需要更靠近的接触点来解决这个问题。

00:04:21.320 --> 00:04:23.430
好的，所以我们有一个很好的...

00:04:23.430 --> 00:04:24.759
冠军电池模型。

00:04:25.280 --> 00:04:27.970
让我们挑选一些容易实现的改进，并做出...

00:04:27.970 --> 00:04:30.911
关于我们能把这些东西做得多好的现实假设，

00:04:30.911 --> 00:04:33.038
看看这会把我们带到哪里。

00:04:34.000 --> 00:04:36.640
我们稍微改进了前表面钝化。

00:04:36.800 --> 00:04:40.560
将其降至面积平均J0为2飞安。

00:04:40.720 --> 00:04:42.400
给我们的电压带来了一点提升。

00:04:43.360 --> 00:04:46.086
我们使用了高电阻率硅片，因为正如...

00:04:46.086 --> 00:04:48.945
你稍后会看到的，这给了我们最好的机会...

00:04:48.945 --> 00:04:52.070
获得高电压和高填充因子，这给...

00:04:52.070 --> 00:04:53.399
我们带来了一些好处。

00:04:53.960 --> 00:04:56.787
我们将前电极宽度减少了约30%，

00:04:56.787 --> 00:04:59.479
我们认为这在不久的将来是可以实现的。

00:05:00.840 --> 00:05:04.020
我们稍微减薄了背面的多晶硅以减少一些...

00:05:04.020 --> 00:05:07.408
寄生损耗，我们重新优化了接触...

00:05:07.408 --> 00:05:10.519
几何结构，这样我们可以获得略高于27%的效率。

00:05:10.840 --> 00:05:15.320
我认为这在未来12到18个月内是相当可行的。